C2M120W080 Todos los transistores

 

C2M120W080 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: C2M120W080
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 153 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 367 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.096 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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C2M120W080 Datasheet (PDF)

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C2M120W080

nvertC2M120W080Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.1200V N-Channel MOSFETAPPLICATIONSFEATURES Switch Mode Power Supply (SMPS) Low On-Resistance Power Factor Correction (PFC) Low Capacitance Uninterruptible Power Supply (UPS) Avalanche Ruggedness EV Charging station & Motor Drives Halogen Free, RoHS Compliant Solar/ Wind Renewable Energy

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C2M120W080

nvertC2M120W040Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.1200V N-Channel Silicon Carbide Power MOSFETFEATURES Low On-Resistance Low Capacitance Avalanche Ruggedness Halogen Free, RoHS CompliantBENEFITS Higher System Efficiency Parallel Device Convenience High Temperature Application High Frequency OperationAPPLICATIONS Switch Mode Power Supp

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C2M120W080

nvertC2M120W280Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.1200V N-Channel Silicon Carbide Power MOSFETFEATURES Low On-Resistance Low Capacitance Avalanche Ruggedness Halogen Free, RoHS CompliantBENEFITS Higher System Efficiency Parallel Device Convenience High Temperature Application High Frequency OperationAPPLICATIONS Switch Mode Power Supp

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History: HFW50N06 | STFI13NM60N | SE10030A | 2SK1796 | WMO07N65C4 | TK100A10N1

 

 
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