C2M120W080 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: C2M120W080
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4(typ) VQgⓘ - Carga de la puerta: 96 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 153 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 367 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.096 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET C2M120W080
C2M120W080 Datasheet (PDF)
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Liste
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