C2M120W080 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: C2M120W080
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 153 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 367 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.096 Ohm
Encapsulados: TO-247
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C2M120W080 datasheet
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History: BSZ100N03LSG
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