CS10N65K Todos los transistores

 

CS10N65K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS10N65K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 48 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 138 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262
 

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CS10N65K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:706K  convert
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CS10N65K

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS10N65F,CS10N65P,CS10N65K650V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS10N65F TO-220F CS1

 7.1. Size:830K  jilin sino
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R JCS10N65FC JCS10N65FC Package MAIN CHARACTERISTICS ID 10 A 650 V VDSS 1.0 Rdson-max@Vgs=10V Qg-Typ 54 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power supplies FEATURES

 7.2. Size:1484K  jilin sino
jcs10n65bt jcs10n65st jcs10n65ct jcs10n65ft.pdf pdf_icon

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N RN-CHANNEL MOSFET JCS10N65T MAIN CHARACTERISTICS Package ID 9.5 A VDSS 650 V Rdson-max 0.95 @Vgs=10V Qg-typ 34 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast UPS UPS FEATURE

 7.3. Size:536K  jilin sino
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N RN-CHANNEL MOSFET AJCS10N65CT MAIN CHARACTERISTICS Package ID 10A VDSS 650V Rdson-max 0.95 @Vgs=10V Qg-typ 34 nC APPLICATIONS Electronic ballast UPS UPS Automotive applications High frequency switching

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History: IPU060N03L | AOD2N60

 

 
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