CS18N20BP Todos los transistores

 

CS18N20BP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS18N20BP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 166 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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CS18N20BP Datasheet (PDF)

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CS18N20BP

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS18N20BF,CS18N20BP,CS18N20BB200V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS18N20BF TO-220F

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CS18N20BP

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS18N20BF,CS18N20BP200V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS18N20BF TO-220F CS18N20BF

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BRCS18N20FA Rev.A Jul.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features V =200VI =18AV =20V DS D GSRDS(on)@10V170m(Type.130m) RDS(on)@4.5V200m(Type.150m) HF Product. / Applications LED

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BRCS18N20DP Rev.B Jul.-2023 DATA SHEET / Descriptions N TO-252 N-Channel MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features V =200VI =18AV =20V DS D GSRDS(on)@10V170m(Type.130m) RDS(on)@4.5V200m(Type.150m) HF Product. / Applications LED Net

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History: 4835 | 2SK3710 | STW13NM50N | SIHFP250

 

 
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