CS18N20BP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CS18N20BP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 166 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
Encapsulados: TO-220
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CS18N20BP datasheet
cs18n20bf cs18n20bp cs18n20bb.pdf
nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS18N20BF,CS18N20BP,CS18N20BB 200V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS18N20BF TO-220F
cs18n20bf cs18n20bp.pdf
nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS18N20BF,CS18N20BP 200V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS18N20BF TO-220F CS18N20BF
brcs18n20dp.pdf
BRCS18N20DP Rev.B Jul.-2023 DATA SHEET / Descriptions N TO-252 N-Channel MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features V =200V I =18A V = 20V DS D GS R DS(on)@10V 170m (Type.130m ) R DS(on)@4.5V 200m (Type.150m ) HF Product. / Applications LED Net
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History: WMB010N04LG4
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