CS2N65F Todos los transistores

 

CS2N65F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS2N65F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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CS2N65F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:733K  crhj
 cs2n65f a9hy.pdf pdf_icon

CS2N65F

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS2N65F A9HY General Description VDSS 650 V CS2N65F A9HY, the silicon N-channel Enhanced ID 2.0 A PD (TC=25) 27 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 4 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various p

 ..2. Size:702K  convert
 cs2n65f cs2n65d cs2n65u.pdf pdf_icon

CS2N65F

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS2N65F,CS2N65D,CS2N65U650V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS2N65F TO-220F CS2N65F

 0.1. Size:1225K  jilin sino
 jcs2n65vb jcs2n65rb jcs2n65cb jcs2n65fb jcs2n65mb jcs2n65mfb.pdf pdf_icon

CS2N65F

N RN-CHANNEL MOSFET JCS2N65B MAIN CHARACTERISTICS Package ID 2.0 A VDSS 650 V RdsonVgs=10V 5.0 -MAX Qg-typ 5.9 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

 0.2. Size:1571K  jilin sino
 jcs2n65v jcs2n65r jcs2n65c jcs2n65f.pdf pdf_icon

CS2N65F

N RN-CHANNEL MOSFET JCS2N65C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 2.0 A VDSS 650 V Rdson_max5.5 Vgs=10V Qg-typ 8.4 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

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History: AP9928GEO

 

 
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