CS2N90P Todos los transistores

 

CS2N90P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS2N90P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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CS2N90P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:686K  convert
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CS2N90P

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS2N90F, CS2N90P,CS2N90B900V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS2N90F TO-220F CS2N90

 9.1. Size:1046K  jilin sino
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CS2N90P

N RN-CHANNEL MOSFET JCS2N95A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 2.0 A VDSS 950 V RdsonVgs=10V 4.5 -Max Qg-Typ 14.5nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED power suppli

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History: IAUC28N08S5L230

 

 
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