SSH10N90A Todos los transistores

 

SSH10N90A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSH10N90A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 280 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 900 V

Corriente continua de drenaje (Id): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 127 nC

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2770 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.2 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

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SSH10N90A Datasheet (PDF)

1.1. ssh10n90a.pdf Size:205K _samsung

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SSH10N90A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 900 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.2 ? Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 10 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3P Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 0.938 ? (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characterist

4.1. ssh10n80.pdf Size:263K _upd-mosfet

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4.2. ssh10n60a.pdf Size:923K _samsung

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Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 600 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.8 ? Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 10 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area A Lower Leakage Current : 25 (Max.) @ VDS = 600V ? Low RDS(ON) : 0.646 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value Units

 4.3. ssh10n70 ssh10n80.pdf Size:294K _samsung

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www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com

4.4. ssh10n80a.pdf Size:211K _samsung

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SSH10N80A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.95 ? Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 10 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3P Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 700V Low RDS(ON) : 1.552 ? (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteris

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