SSH15N55A Todos los transistores

 

SSH15N55A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSH15N55A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 550 V

Corriente continua de drenaje (Id): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.45 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

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SSH15N55A Datasheet (PDF)

2.1. ssh15n60 ssh15n55.pdf Size:394K _samsung

SSH15N55A
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