CS50N06U MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

CS50N06U MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS50N06U

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 510 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: TO-251

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CS50N06U datasheet

..1. Size:499K convert
cs50n06f cs50n06p cs50n06u cs50n06d.pdf pdf_icon

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS50N06F,CS50N06P,CS50N06U,CS50N06D 60V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS50N06F TO-

7.1. Size:1911K jilin sino
jcs50n06vh jcs50n06rh jcs50n06ch jcs50n06fh.pdf pdf_icon

N R N-CHANNEL MOSFET JCS50N06H Package MAIN CHARACTERISTICS ID 50 A VDSS 60 V Rdson-max 23 m @Vgs=10V Qg-typ 34 nC APPLICATIONS High frequency switch UPS mode power supplies UPS FEATURES Low gate charge

7.2. Size:932K blue-rocket-elect
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BRCS50N06BD Rev.A Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions N TO-263 N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low R ,low gate charge, low C , fast switching, Trench Technologies, HF Product. DS(on) rss / Applications

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brcs50n06ra.pdf pdf_icon

BRCS50N06RA Rev.A Sep.-2020 DATA SHEET / Descriptions N TO-220 N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching, Trench Technologies. Halogen-free Product. / Applications

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