CS5N80B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CS5N80B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 70 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 30 nC
Tiempo de subida (tr): 15 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 77 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
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CS5N80B Datasheet (PDF)
cs5n80f cs5n80p cs5n80b.pdf
nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS5N80F, CS5N80P,CS5N80B800V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS5N80F TO-220F CS5N80
cs5n80f cs5n80p.pdf
nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS5N80F, CS5N80P800V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS5N80F TO-220F CS5N80FCS5N8
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