CS5N80B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS5N80B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8 Ohm

Encapsulados: TO-263

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CS5N80B datasheet

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CS5N80B

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS5N80F, CS5N80P,CS5N80B 800V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS5N80F TO-220F CS5N80

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CS5N80B

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS5N80F, CS5N80P 800V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS5N80F TO-220F CS5N80F CS5N8

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