CS5N80B Todos los transistores

 

CS5N80B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS5N80B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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CS5N80B Datasheet (PDF)

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CS5N80B

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS5N80F, CS5N80P,CS5N80B800V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS5N80F TO-220F CS5N80

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CS5N80B

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS5N80F, CS5N80P800V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS5N80F TO-220F CS5N80FCS5N8

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History: VP0109 | 2N5517 | BSL306N | NX138BKS | CS4N90P | KX020N06 | NVD5890NL

 

 
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