CS6N100P Todos los transistores

 

CS6N100P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS6N100P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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CS6N100P Datasheet (PDF)

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CS6N100P

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS6N100F,CS6N100P,CS6N100W1000V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS6N100F TO-220F CS

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CS6N100P

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS6N120F,CS6N120P,CS6N120W1200V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS6N120F TO-220F CS6

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History: IRF9620SPBF | HAT2028RJ | CSD17577Q3A | NCEP40T13AGU | VS3622DE | SPN10T10 | SLD5N65S

 

 
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