CS6N120F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CS6N120F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 36 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 1200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 77.5 nC
Tiempo de subida (tr): 30 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 170 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
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CS6N120F Datasheet (PDF)
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nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS6N120F,CS6N120P,CS6N120W1200V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS6N120F TO-220F CS6
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nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS6N100F,CS6N100P,CS6N100W1000V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS6N100F TO-220F CS
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