CS6N120W MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS6N120W

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm

Encapsulados: TO-247

 Búsqueda de reemplazo de CS6N120W MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CS6N120W datasheet

 ..1. Size:519K  convert
 cs6n120f cs6n120p cs6n120w.pdf pdf_icon

CS6N120W

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS6N120F,CS6N120P,CS6N120W 1200V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS6N120F TO-220F CS6

 9.1. Size:600K  convert
 cs6n100f cs6n100p cs6n100w.pdf pdf_icon

CS6N120W

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS6N100F,CS6N100P,CS6N100W 1000V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS6N100F TO-220F CS

Otros transistores... CS5N80F, CS5N80P, CS5N80B, CS6N100F, CS6N100P, CS6N100W, CS6N120F, CS6N120P, IRF530, CS6N65F, CS6N65P, CS6N65U, CS6N65D, CS6N70CF, CS6N70CK, CS6N70CU, CS6N70CD