CS7N55F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CS7N55F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 550 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 71 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de CS7N55F MOSFET
CS7N55F Datasheet (PDF)
cs7n55f cs7n55p.pdf

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS7N55F, CS7N55P550V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS7N55F TO-220F CS7N55FCS7N5
Otros transistores... CS6N70F , CS6N70K , CS6N70U , CS6N70D , CS6N90F , CS6N90P , CS6N90B , CS6N90W , 4N60 , CS7N55P , CS7N60CF , CS7N60CP , CS7N60CU , CS7N60CD , CS7N60P , CS7N65CF , CS7N65CP .
History: QM3214S | JFUX5N50D | QM3024M6 | BRCS080C04SC | FDB8876
History: QM3214S | JFUX5N50D | QM3024M6 | BRCS080C04SC | FDB8876



Liste
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MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
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