SSH20N50A Todos los transistores

 

SSH20N50A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSH20N50A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 500 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.25 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

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SSH20N50A Datasheet (PDF)

6.1. ssh20n45 ssh20n50.pdf Size:171K _samsung

SSH20N50A
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