SSH25N40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSH25N40
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 280 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 400 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 25 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 160 nC
Tiempo de subida (tr): 280 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 500 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
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SSH25N40 Datasheet (PDF)
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SSH25N40AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 400 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 25 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-3P Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 400V Low RDS(ON) : 0.162 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol C
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