SSH25N40 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSH25N40  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 280 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: TO3P

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de SSH25N40 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SSH25N40 datasheet

 ..1. Size:275K  samsung
 ssh25n35 ssh25n40.pdf pdf_icon

SSH25N40

 0.1. Size:214K  samsung
 ssh25n40a.pdf pdf_icon

SSH25N40

SSH25N40A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 400 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 25 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3P Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 400V Low RDS(ON) 0.162 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol C

Otros transistores... SSH17N60A, SSH20N45, SSH20N45A, SSH20N50, SSH20N50A, SSH22N50A, SSH25N35, SSH25N35A, IRFB4115, SSH25N40A, SSH3N70, SSH3N70A, SSH40N15, SSH40N15A, SSH40N20, SSH40N20A, SSH45N20A