CSFR20N60F Todos los transistores

 

CSFR20N60F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CSFR20N60F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 242 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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CSFR20N60F Datasheet (PDF)

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CSFR20N60F

nvertCSFR20N60FSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.600V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONSSwitch Mode Power Supply (SMPS) Motor Controls Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package Marki

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CSFR20N60F

CSFR2N60F,CSFR2N60PnvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CSFR2N60U,CSFR2N60D600V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Motor Controls Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package In

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History: STB6N80K5 | 7P20 | FQD5N50TF | IRF1405L | IPD135N08N3G | IXTT12N150 | AOD210V60E

 

 
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