CSFR20N60F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSFR20N60F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 242 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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CSFR20N60F datasheet

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CSFR20N60F

nvert CSFR20N60F Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Motor Controls Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marki

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CSFR20N60F

CSFR2N60F,CSFR2N60P nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CSFR2N60U,CSFR2N60D 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Motor Controls Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package In

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