CSFR2N60P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CSFR2N60P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
CSFR2N60P Datasheet (PDF)
csfr2n60f csfr2n60p csfr2n60u csfr2n60d.pdf
CSFR2N60F,CSFR2N60PnvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CSFR2N60U,CSFR2N60D600V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Motor Controls Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package In
csfr20n60f.pdf
nvertCSFR20N60FSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.600V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONSSwitch Mode Power Supply (SMPS) Motor Controls Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package Marki
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History: STK0170 | MG120R040
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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