CSFR2N60U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CSFR2N60U
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 30 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 10 nC
Tiempo de subida (tr): 6.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 28 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251
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CSFR2N60U Datasheet (PDF)
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CSFR2N60F,CSFR2N60PnvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CSFR2N60U,CSFR2N60D600V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Motor Controls Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package In
csfr20n60f.pdf
nvertCSFR20N60FSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.600V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONSSwitch Mode Power Supply (SMPS) Motor Controls Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package Marki
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