CSFR3N60U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CSFR3N60U
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 45 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 13.5 nC
Tiempo de subida (tr): 8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 43 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 3.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CSFR3N60U
CSFR3N60U Datasheet (PDF)
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CSFR3N60F,CSFR3N60PnvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CSFR3N60U,CSFR3N60D600V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Motor Controls Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package In
csfr3n60lf csfr3n60lp csfr3n60lu csfr3n60ld.pdf
CSFR3N60LF,CSFR3N60LPnvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CSFR3N60LU,CSFR3N60LD600V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Motor Controls Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Packag
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