CSFR3N60D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CSFR3N60D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 13.5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 43 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CSFR3N60D
CSFR3N60D Datasheet (PDF)
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CSFR3N60F,CSFR3N60PnvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CSFR3N60U,CSFR3N60D600V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Motor Controls Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package In
csfr3n60lf csfr3n60lp csfr3n60lu csfr3n60ld.pdf
CSFR3N60LF,CSFR3N60LPnvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CSFR3N60LU,CSFR3N60LD600V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Motor Controls Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Packag
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Liste
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