CSFR6N70U Todos los transistores

 

CSFR6N70U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CSFR6N70U
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 86 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

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CSFR6N70U Datasheet (PDF)

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CSFR6N70U

CSFR6N70F,CSFR6N70KnvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CSFR6N70U,CSFR6N70D700V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Motor Controls Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package In

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 csfr6n60f csfr6n60k csfr6n60u csfr6n60d.pdf pdf_icon

CSFR6N70U

CSFR6N60F,CSFR6N60KnvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CSFR6N60U,CSFR6N60D600V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Motor Controls Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package In

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History: HAT3018RJ | IRFS9N60APBF | PMDPB65UP | HY110N06T | IPB100N04S2-04 | BSC205N10LSG | MS49P63

 

 
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