CSFR7N60F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CSFR7N60F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 92 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de CSFR7N60F MOSFET
CSFR7N60F Datasheet (PDF)
csfr7n60f csfr7n60k csfr7n60d csfr7n60u.pdf

CSFR7N60F, CSFR7N60K, nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CSFR7N60D,CSFR7N60U600V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Motor Controls Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package
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History: HGI110N08AL | AP9974GP | PD636BA | FHP12N60A | SIHF830A | NVTFS4C13N | CJD01N65B
History: HGI110N08AL | AP9974GP | PD636BA | FHP12N60A | SIHF830A | NVTFS4C13N | CJD01N65B



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