CTD02N4P8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CTD02N4P8
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 87 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 39 nC
Tiempo de subida (tr): 4 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 383 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0048 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
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CTD02N4P8 Datasheet (PDF)
ctd02n4p8.pdf
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