SSH40N20A Todos los transistores

 

SSH40N20A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSH40N20A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm

Encapsulados: TO3P

 Búsqueda de reemplazo de SSH40N20A MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SSH40N20A datasheet

 6.1. Size:271K  samsung
ssh40n15 ssh40n20.pdf pdf_icon

SSH40N20A

Otros transistores... SSH25N35A , SSH25N40 , SSH25N40A , SSH3N70 , SSH3N70A , SSH40N15 , SSH40N15A , SSH40N20 , IRF9540 , SSH45N20A , SSH4N70 , SSH4N70A , SSH4N80AS , SSH4N90AS , SSH5N80A , SSH5N90A , SSH60N06 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.