CTZ2312A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CTZ2312A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 119 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: SOT23

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CTZ2312A datasheet

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CTZ2312A

nvert CTZ2312A Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 20V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Corre

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CTZ2312A

nvert CTZ2305A Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 20V P-Channel Trench MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS Load Switch Power Management Pulse Width Modulation(PWM) Device Marking and Package Information Device Packa

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CTZ2312A

nvert CTZ2302A Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 20V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS Load switch Battery protection Power management Device Marking and Package Information Device Package Markin

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