CJ3134KDW MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJ3134KDW

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm

Encapsulados: SOT363

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CJ3134KDW datasheet

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CJ3134KDW

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETs CJ3134KDW Dual N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-363 6 380m @ 4.5V 5 20V 450m @2.5V 0.75A 4 800m @1.8V 1 2 3 FEATURE APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching N-Channel Switch

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CJ3134KDW

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-723 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ3134K N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-723 380m @ 4.5V 20V 450m @2.5V 0.75A 800m @1.8V 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN FEATURES APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching N-Channel Switc

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CJ3134KDW

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ3134KW N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-323 380 m @4.5V 20V 0.75A m 450 @2.5V 800m @1.8V 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATION FEATURE Drivers Relays, Solenoids, High-Side Switching Lamps, Hammers, Displays, Memories Low On-Resistance Battery Opera

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CJ3134KDW

P-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 95 1 8 TYP 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN Lead Free Product is Acquired Load/Power Switching Surface Mount Package Inte

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