CJAA3139K Todos los transistores

 

CJAA3139K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJAA3139K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.66 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
   Paquete / Cubierta: WBFBP-03E
     - Selección de transistores por parámetros

 

CJAA3139K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2815K  jiangsu
 cjaa3139k.pdf pdf_icon

CJAA3139K

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03E Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAA3139K P-Channel MOSFETWBFBP-03E ID V(BR)DSS RDS(on)MAX m@-4.5V520-20V @-2.5V -0.66A70 m0m(TYP)@-1.8V9501.GATE2.SOURCE 3.DRAINFEATUREAPPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/ Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching P-Cha

 7.1. Size:1341K  jiangsu
 cjaa3134k.pdf pdf_icon

CJAA3139K

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD Plastic-Encapsulate MOSFETsCJAA3134K N-Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)MAX WBFBP-03E m@4.5V38020V450 0.75Am@2.5Vm@1.8V8001.GATE2.SOURCE 3.DRAINFEATURE APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/ Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching N-Channel Swi

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History: 2N7121 | AO8803 | FDC3612

 

 
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