CJAC0410 Todos los transistores

 

CJAC0410 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJAC0410
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.185 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFNWB5X6-8L-A
 

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CJAC0410 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2802K  1
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CJAC0410

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB56-8L-A Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC0410 N Channel+P Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX PDFNWB56-8L-A 185m@10V100V4A195m@4.5V270m@-10V-100V-4A330m@-4.5VDESCRIPTION The CJAC0410 provides excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES

 ..2. Size:2802K  jiangsu
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CJAC0410

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB56-8L-A Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC0410 N Channel+P Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX PDFNWB56-8L-A 185m@10V100V4A195m@4.5V270m@-10V-100V-4A330m@-4.5VDESCRIPTION The CJAC0410 provides excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES

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History: SI9926CDY | UTT25N08 | 2SK2572

 

 
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