CJAC0410 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJAC0410
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 13.4 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 6.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.185 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFNWB5X6-8L-A
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CJAC0410
CJAC0410 Datasheet (PDF)
cjac0410.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB56-8L-A Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC0410 N Channel+P Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX PDFNWB56-8L-A 185m@10V100V4A195m@4.5V270m@-10V-100V-4A330m@-4.5VDESCRIPTION The CJAC0410 provides excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES
cjac0410.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB56-8L-A Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC0410 N Channel+P Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX PDFNWB56-8L-A 185m@10V100V4A195m@4.5V270m@-10V-100V-4A330m@-4.5VDESCRIPTION The CJAC0410 provides excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES
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History: 2SK1982-01MR | 2SK1952
History: 2SK1982-01MR | 2SK1952
Liste
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