CJAC70N03 Todos los transistores

 

CJAC70N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJAC70N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFNWB5X6-8L
 

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CJAC70N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2356K  jiangsu
 cjac70n03.pdf pdf_icon

CJAC70N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB56-8L-D Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC70N03 N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)TYPPDFN 56-8L-D 4.3m@10V30 V70A6.0m@4.5VDESCRIPTION The CJAC70N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURE

 9.1. Size:1037K  jiangsu
 cjac75sn10.pdf pdf_icon

CJAC70N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 56-8L-D Plastic-EncapsulateMOSFETS CJAC75SN10 N-Channel Power MOSFETV(BR)DSS RDS(on)TYP ID PDFN 56-8L 8.0m@10V100V 75A10.5m@4.5VDESCRIPTION The CJAC75SN10 uses SGT technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications . FEATURES High

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History: IRFP442R | FKP253 | PTF8N65 | BRCS120N03DP | PZ5203QV | HTD2K1P10 | 2SK4212-ZK

 

 
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