CJAC70N03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJAC70N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm

Encapsulados: PDFNWB5X6-8L

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CJAC70N03 datasheet

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CJAC70N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB5 6-8L-D Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC70N03 N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)TYP PDFN 5 6-8L-D 4.3m @10V 30 V 70A 6.0m @4.5V DESCRIPTION The CJAC70N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURE

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CJAC70N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 5 6-8L-D Plastic-EncapsulateMOSFETS CJAC75SN10 N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on)TYP ID PDFN 5 6-8L 8.0m @10V 100V 75A 10.5m @4.5V DESCRIPTION The CJAC75SN10 uses SGT technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications . FEATURES High

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