CJBA3541K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJBA3541K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN1006-3L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CJBA3541K
CJBA3541K Datasheet (PDF)
cjba3541k.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFN1006-3L Plastic-Encapsulate MOSFETsCJBA3541K N-Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)MAX DFN1006-3L m@4.5V5000.6A30Vm@2.5V600FEATURE APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/ Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching N-Channel Switch with Low RDS(on) Battery Management for
cjba3139k.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFN1006-3L Plastic-Encapsulate MOSFETsCJBA3139K P-Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)MAX DFN1006-3L m@-4.5V520-20V-0.66Am@-2.5V780950m(TYP)@-1.8V FEATURE APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/ Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching P-Channel Switch with Low RDS(on)
cjba3134k.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFN1006-3L Plastic-Encapsulate MOSFETsCJBA3134K N-Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)MAX DFN1006-3L m@4.5V50020Vm@2.5V 0.75A700m@1.8V900FEATURE APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/ Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching N-Channel Switch with Low RDS(on) Ba
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Liste
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