CJBB3134K Todos los transistores

 

CJBB3134K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJBB3134K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN1006-3L-A
 

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CJBB3134K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:840K  jiangsu
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CJBB3134K

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFN1006-3L-A Plastic-Encapsulate MOSFETsCJBB3134K N-Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)MAX DFN1006-3L-A m@4.5V50020Vm@2.5V 0.75A7003m@1.8V90021FEATURE APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/ Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching N-Channel Switch with Low RDS(on)

 7.1. Size:791K  jiangsu
 cjbb3139k.pdf pdf_icon

CJBB3134K

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFN1006-3L-A Plastic-Encapsulate MOSFETsCJBB3139K P-Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)MAX DFN1006-3L-A m@-4.5V520-20V -0.66Am@-2.5V7803950m(TYP)@-1.8V 21FEATURE APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/ Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching P-Channel Switch with Low RDS

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History: IRFI744GPBF | FDM100-0045SP | TD422BL | LSGE10R080W3 | SPP80N05L | HUF75831SK8T | FMV10N80E

 

 
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