CJCD2003 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CJCD2003
   Código: 2003
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 18 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0072 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFNWB2X3-6L-C

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CJCD2003

CJCD2003 Datasheet (PDF)

..1. Size:1603K jiangsu
cjcd2003.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTDDFNWB23-6L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS DFNWB23-6L-CCJCD2003 Dual N-Channel MOSFETIDV(BR)DSS RDS(on)TYP 6.2 m@4.5V m 6.4 @4.0V18V10Am 6.8 @3.8VV 7.2 m@3.1 8.2 m@2.5VDESCRIPTION The CJCD2003 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected.

7.1. Size:1794K jiangsu
cjcd2005.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTDDFNWB23-6L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS DFNWB23-6L-CCJCD2005 Dual N-Channel MOSFETIDV(BR)DSS RDS(on)TYP m@4.5V9@4.0V m9.58A20V 9.7m@3.8Vm@3.1V10.612.5m@2.5VDESCRIPTION The CJCD2005 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected. This dev

7.2. Size:1698K jiangsu
cjcd2004.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTDDFNWB23-6L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS DFNWB23-6L-CCJCD2004 Dual N-Channel MOSFET IDV(BR)DSS RDS(on)TYP m 7.3@4.5V m 7.6 @4.0V20V10A7.8m@3.8V8.2m@3.1Vm9.0@2.5VDESCRIPTION The CJCD2004 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected

7.3. Size:1507K jiangsu
cjcd2007.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB23-6L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS DFNWB23-6L-CCJCD2007 Dual N-Channel MOSFETIDV(BR)DSS RDS(on)TYP m12.5 @4.5V m13 @4.0V20V8Am@3.8V 13.5m@3.1V 14.5m 17 @2.5VDESCRIPTION The CJCD2007 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: 2SK2251-01

Liste

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