CJK1508 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJK1508
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 15 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
Encapsulados: SOT23
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CJK1508 datasheet
cjk1508.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK1508 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor ID V(BR)DSS RDS(on) TYP SOT-23-3L 7.7 8.6 8 15 9.1 1. GATE 11.3 2. SOURCE 3. DRAIN D FEATURE APPLICATION High dense cell design for extremely low RDS(ON) Load/Power Switching Excepti
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