CJK1508 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CJK1508
   Código: 1508_.1508
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 15 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 17.9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

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CJK1508 Datasheet (PDF)

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cjk1508.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK1508 N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorID V(BR)DSS RDS(on)TYPSOT-23-3L 7.7 8.6 815 9.1 1. GATE 11.3 2. SOURCE 3. DRAIN DFEATURE APPLICATION High dense cell design for extremely low RDS(ON) Load/Power Switching Excepti

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