CJK8804 Todos los transistores

 

CJK8804 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJK8804

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm

Encapsulados: SOT23

 Búsqueda de reemplazo de CJK8804 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CJK8804 datasheet

 ..1. Size:1551K  jiangsu
cjk8804.pdf pdf_icon

CJK8804

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK8804 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor ID V(BR)DSS RDS(on) TYP SOT-23-3L 9.8 10.5 7 11.1 1. GATE 13.3 2. SOURCE 3. DRAIN D FEATURE APPLICATION High dense cell design for extremely low RDS(ON) Load/Power Switching

Otros transistores... CJK1211 , CJK1508 , CJK2009 , CJK2333 , CJK3400A , CJK3400AH , CJK3401A , CJK3401AH , IRFZ46N , CJL2013 , CJL2016 , CJL2301 , CJL2623 , CJL8205A , CJM1206 , CJMNP517 , CJMPD11 .

History: NTPF082N65S3F | AP2301EN-HF | IXFK55N50F | WMM80R1K0S | WMN80R1K5S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.