CJK8804 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJK8804
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
Encapsulados: SOT23
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CJK8804 datasheet
cjk8804.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK8804 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor ID V(BR)DSS RDS(on) TYP SOT-23-3L 9.8 10.5 7 11.1 1. GATE 13.3 2. SOURCE 3. DRAIN D FEATURE APPLICATION High dense cell design for extremely low RDS(ON) Load/Power Switching
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History: NTPF082N65S3F | AP2301EN-HF | IXFK55N50F | WMM80R1K0S | WMN80R1K5S
History: NTPF082N65S3F | AP2301EN-HF | IXFK55N50F | WMM80R1K0S | WMN80R1K5S
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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