CJK8804 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJK8804
Código: 8804_.8804
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 17.9 nC
Tiempo de subida (tr): 7.2 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 230 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.013 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
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CJK8804 Datasheet (PDF)
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JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK8804 N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorID V(BR)DSS RDS(on)TYPSOT-23-3L 9.8 10.57 11.1 1. GATE 13.3 2. SOURCE 3. DRAIN DFEATURE APPLICATION High dense cell design for extremely low RDS(ON) Load/Power Switching
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