CJL2016 Todos los transistores

 

CJL2016 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJL2016
   Código: L2016
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6L
     - Selección de transistores por parámetros

 

CJL2016 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1969K  jiangsu
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CJL2016

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJL2016 Dual N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYPSOT-23-6L 15.7 m@4.5V@3.8V16.4m 6A20V@2.5V20 mFEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET Battery Protection Excellent RDS(on) Load Switch Low Gate Charge Power Management High Power and Curr

 8.1. Size:1080K  jiangsu
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CJL2016

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJL2013 Dual N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYPSOT-23-6L 12.2 m@4.5V12.9 m@3.8V20V 6A13.6 m@3.1Vm14.9 @2.5VFEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET Battery Protection Excellent RDS(on) Load Switch Low Gate Charge Power Management Hig

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History: WMM08N60C4

 

 
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