CJQ4828 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJQ4828
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.056 Ohm
Encapsulados: SOP8
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CJQ4828 datasheet
cjq4828.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJQ4828 Dual N-Channel MOSFET SOP8 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 56m @10V 60V 4.5A 77m @ 4.5 V DESCRIPTION The CJQ4828 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Equivalent Ci
cjq4824.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS Dual N-Channel MOSFET CJQ4824 SOP8 ID V(BR)DSS RDS(on)TYP 10.5m @10V 10A 30V 14.5m @4.5 V DESCRIPTION The CJQ4824 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Equivalent Circ
cjq4800.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS Dual N-Channel MOSFET CJQ4800 SOP8 ID V(BR)DSS RDS(on)TYP 16m @10V 30V 6.9A 19m @4.5 V DESCRIPTION The CJQ4800 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. MARKING Equivale
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History: ISCNL256N | WMQ25P04T1
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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