CJQ4828 Todos los transistores

 

CJQ4828 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJQ4828
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.056 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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CJQ4828 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2271K  jiangsu
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CJQ4828

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJQ4828 Dual N-Channel MOSFET SOP8 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 56m@10V60V 4.5A77m@ 4.5V DESCRIPTION The CJQ4828 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Equivalent Ci

 8.1. Size:5643K  jiangsu
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CJQ4828

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS Dual N-Channel MOSFET CJQ4824SOP8 ID V(BR)DSS RDS(on)TYP10.5m@10V10A30V14.5m@4.5VDESCRIPTION The CJQ4824 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.Equivalent Circ

 9.1. Size:1785K  jiangsu
 cjq4800.pdf pdf_icon

CJQ4828

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS Dual N-Channel MOSFET CJQ4800SOP8 ID V(BR)DSS RDS(on)TYP16m@10V30V 6.9A19m@4.5VDESCRIPTION The CJQ4800 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. MARKING: Equivale

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History: IXFN32N100P | STLT20

 

 
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