CJS2019 Todos los transistores

 

CJS2019 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJS2019

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm

Encapsulados: TSSOP8

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CJS2019 datasheet

 ..1. Size:1945K  jiangsu
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CJS2019

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TSSOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJS2019 Dual N-Channel MOSFET TSSOP8 ID V(BR)DSS RDS(on)TYP m @4.5V 19.5 5A 20 V @2.5V 24 m FEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET Battery Protection Excellent RDS(on) Load Switch Low Gate Charge Power Management High Power and Current Handing Capability

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CJS2019

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TSSOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS TSSOP8 CJS2016 Dual N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYP m @4.5V 15.7 6A 20 V 20 @2.5V m FEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET Battery Protection Excellent RDS(on) Load Switch Low Gate Charge Power Management High Power and Current Handing Capability

 8.2. Size:2711K  jiangsu
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CJS2019

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TSSOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJS2013 Dual N-Channel MOSFET TSSOP8 ID V(BR)DSS RDS(on)TYP 10.5 m @4.5V 11.4 m @3.8V 20 6A V 12.3 m @3.1V 13.5 m @2.5V FEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET Battery Protection Excellent RDS(on) Load Switch Low Gate Charge Power Management High Power and

Otros transistores... CJQ4800 , CJQ4824 , CJQ4828 , CJQ6601 , CJQ7328 , CJQ9926 , CJS2013 , CJS2016 , 50N06 , CJS8804 , CJS8810 , CJS8820 , CJS9004 , CJT04N15 , CJU20N06 , CJU80N03 , CJX3134K .

History: FS2KM-18A | FCD360N65S3R0 | ELM34415AA

 

 

 

 

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