CJS8804 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJS8804
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
Encapsulados: TSSOP8
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CJS8804 datasheet
cjs8804.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TSSOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJS8804 Dual N-Channel MOSFET TSSOP8 ID V(BR)DSS RDS(on) TYP 9.8 4 10.5 11.1 8A 2 13.3 19.6 DESCRIPTION The CJS8804 use advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected. This devi
cjs8810.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TSSOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJS8810 Dual N-Channel MOSFET TSSOP8 ID V(BR)DSS RDS(on)TYP @4.5V 14.2m 15.4m @3.8V 20V 7 A 18.2 m @2.5V 26m @1.8V DESCRIPTION The CJS8810 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-
cjs8820.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TSSOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJS8820 Dual N-Channel MOSFET TSSOP8 ID V(BR)DSS RDS(on)TYP V m @10 14 @4.5V 16m 20V 7 A m @3.8V 18 22m @2.5V DESCRIPTION The CJS8820 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni
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History: STU411D | TK6A60W | TP2305PR | CJQ6601
History: STU411D | TK6A60W | TP2305PR | CJQ6601
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Liste
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