CJS8804 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJS8804
Código: S8804
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 17.9 nC
Tiempo de subida (tr): 7.2 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 230 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.013 Ohm
Paquete / Cubierta: TSSOP8
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CJS8804 Datasheet (PDF)
cjs8804.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TSSOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJS8804 Dual N-Channel MOSFETTSSOP8 ID V(BR)DSS RDS(on)TYP 9.8 4 10.511.1 8A 2 13.3 19.6DESCRIPTION The CJS8804 use advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected. This devi
cjs8810.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TSSOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJS8810 Dual N-Channel MOSFETTSSOP8 ID V(BR)DSS RDS(on)TYP@4.5V14.2m15.4m@3.8V20V 7A18.2m@2.5V26m@1.8VDESCRIPTION The CJS8810 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-
cjs8820.pdf
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