SSH6N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSH6N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 135 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 150(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350(max) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSH6N60

SSH6N60 Datasheet (PDF)

..1. Size:307K 1
ssh6n55 ssh6n60.pdf

www.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.com

9.1. Size:946K samsung
ssh6n90a.pdf

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 900 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 1.829 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

9.2. Size:931K samsung
ssh6n80as.pdf

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 1.472 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

9.3. Size:935K samsung
ssh6n70a.pdf

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 700 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 700V Low RDS(ON) : 1.552 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

9.4. Size:272K semelab
ssh6n80.pdf

Otros transistores... SSH4N90AS , SSH5N80A , SSH5N90A , SSH60N06 , SSH60N06A , SSH60N10 , SSH60N10A , SSH6N55 , TK10A60D , SSH6N70 , SSH6N70A , SSH6N80AS , SSH6N90A , SSH70N10A , SSH7N60A , SSH7N80A , SSH7N90A .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: