FS2301 Todos los transistores

 

FS2301 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FS2301

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm

Encapsulados: SOT23

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FS2301 datasheet

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FS2301

FS2301 P-Channel SMD MOSFET Product Summary V R I (BR)DSS DS(on)MAX D 120m @-4.5V -20V -2.4A 180m @-2.5V Feature Application Advanced trench process technology Load Switch for Portable Devices High density cell design for ultra low on-resistance DC/DC Converter Package Circuit diagram D G SOT-23 S Marking A1SHB www.fuxinsemi.com Page 1 Ver2.1 FS2301 P-Ch

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FS2301

FS2302A N-Channel SMD MOSFET Product Summary V R I (BR)DSS DS(on)MAX D 75m @4.5V 20V 2.6A 105m @2.5V Feature Application Advanced trench process technology Load Switch for Portable Devices High density cell design for ultra low on-resistance DC/DC Converter Package Circuit diagram D S G SOT-23 Marking A2SHB www.fuxinsemi.com Page 1 Ver2.1 FS2302A N-Channel SMD MOSFE

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