FS2301 Todos los transistores

 

FS2301 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FS2301
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

FS2301 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2373K  fuxinsemi
 fs2301.pdf pdf_icon

FS2301

FS2301P-Channel SMD MOSFETProduct Summary V R I(BR)DSS DS(on)MAX D120m@-4.5V-20V -2.4A180m@-2.5VFeature Application Advanced trench process technology Load Switch for Portable Devices High density cell design for ultra low on-resistance DC/DC ConverterPackage Circuit diagramDGSOT-23SMarkingA1SHBwww.fuxinsemi.com Page 1 Ver2.1FS2301P-Ch

 9.1. Size:3210K  fuxinsemi
 fs2302a.pdf pdf_icon

FS2301

FS2302AN-Channel SMD MOSFETProduct Summary V R I(BR)DSS DS(on)MAX D75m@4.5V20V 2.6A105m@2.5VFeature Application Advanced trench process technology Load Switch for Portable Devices High density cell design for ultra low on-resistance DC/DC Converter Package Circuit diagramDSGSOT-23MarkingA2SHBwww.fuxinsemi.com Page 1 Ver2.1FS2302AN-Channel SMD MOSFE

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History: SWB13N65K2 | SIRA04DP | ATP107 | RF4C050AP | TK4P60D | SWD10N65K | NTD65N03R-035

 

 
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