DMN3032LFDB Todos los transistores

 

DMN3032LFDB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMN3032LFDB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 52 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: U-DFN2020-6
 

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DMN3032LFDB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:573K  diodes
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DMN3032LFDB

DMN3032LFDB DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID Max BVDSS RDS(ON) Max Low Input Capacitance TA = +25C Fast Switching Speed 6.2A 30m @ VGS = 10V Low Input/Output Leakage 30V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 42m @ VGS = 4.5V 5.2A Halogen and Antimony Free

 6.1. Size:321K  diodes
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DMN3032LFDB

DMN3032LE30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID Low On-ResistanceV(BR)DSS RDS(on) max TA = +25C Low Input Capacitance 29m @ VGS = 10V 5.6A Fast Switching Speed 30V 35m @ VGS = 4.5V 4.8A Low Input/Output Leakage Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Gre

 8.1. Size:153K  diodes
dmn3033lsd.pdf pdf_icon

DMN3032LFDB

DMN3033LSDDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Dual N-Channel MOSFET Case: SOP-8L Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 22m @ VGS = 10V Moisture Sensitivity: Level 1

 8.2. Size:545K  diodes
dmn3035lwn.pdf pdf_icon

DMN3032LFDB

DMN3035LWN 30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID MAX V(BR)DSS RDS(ON) MAX TA = +25C Low Input Capacitance 35m @ VGS = 10V 5.5A Fast Switching Speed 30V 45m @ VGS = 4.5V 4.9A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Descriptio

Otros transistores... DMN2009USS , DMN2036UCB4 , DMN2056U , DMN2058U , DMN3009LFVW , DMN3009SK3 , DMN3018SSS , DMN3023L , 5N65 , DMN3110LCP3 , DMN4031SSDQ , DMN4035L , DMN4060SVT , DMN4800LSSQ , DMN53D0LQ , DMN6040SSDQ , DMN6040SVTQ .

History: APT8090BN | 2SJ156 | P2103NVG | AM20N15-250B | HY1904D | OSG60R580PF | PD601CX

 

 
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