DMP1100UCB4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DMP1100UCB4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.67 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 10.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.083 Ohm
   Paquete / Cubierta: X2-WLB0808-4

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DMP1100UCB4 Datasheet (PDF)

..1. Size:452K diodes
dmp1100ucb4.pdf

DMP1100UCB4 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary (Typ @VGS = -4.5V, TA = +25C) Features and Benefits Built-in G-S Protection Diode against ESD 2kV HBM BVDSS RDS(ON) Qg Qgd ID Ultra Small 0.8mm x 0.8mm Package -12V 65m 9nC 2.4nC -3.2A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3)

Otros transistores... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 60N06 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: SML6030BN

Liste

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