DMP2123LQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DMP2123LQ
Código: M1P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.4 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.25 V
Carga de la puerta (Qg): 7.3 nC
Tiempo de subida (tr): 20 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 128 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.072 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET DMP2123LQ
DMP2123LQ Datasheet (PDF)
dmp2123lq.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DMP2123LQ P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data Low RDS(ON) Case: SOT23 - 72m @VGS = -4.5V Case Material - Molded Plastic, Green Molding Compound. - 108m @VGS = -2.7V UL Flammability Rating 94V-0 - 123m @VGS = -2.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Low Input/Output Leakage Terminals: Finish - M
dmp2123l.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DMP2123LP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low RDS(ON): Case: SOT-23 Case Material - Molded Plastic, Green Molding Compound. 72 m @VGS = -4.5V UL Flammability Rating 94V-0 108 m @VGS = -2.7V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D 12
dmp2123l.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Product specificationDMP2123LP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data Low RDS(ON): Case: SOT-23 Case Material - Molded Plastic, Green Molding Compound. 72 m @VGS = -4.5V UL Flammability Rating 94V-0 108 m @VGS = -2.7V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D 123 m @VGS = -2.5V Terminals: Fin
dmp2120u.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DMP2120U P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID Max BVDSS RDS(ON) Max TA = +25C Low Input Capacitance Fast Switching Speed -3.8A 62m @ VGS = -4.5V Low Input/Output Leakage -20V 90m @ VGS = -2.5V -3.1A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Fr
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .