FHA20N90A Todos los transistores

 

FHA20N90A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FHA20N90A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 89.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 493.7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PN
 

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FHA20N90A Datasheet (PDF)

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FHA20N90A

N N-CHANNEL MOSFET FHA20N90A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 20A Low gate charge VDSS 900 V Crss ( 18.3pF) Low Crss (typical 18.3pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.28 Fast switching Qg-typ 140.5nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Impro

 8.1. Size:740K  feihonltd
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FHA20N90A

N N-CHANNEL MOSFET FHF20N65A/ FHP20N65A/FHA20N65A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 20A Crss ( 20pF) Low Crss (typical 20pF ) VDSS 650V Fast switching Rdson-typ 0.35 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested P (T =25) 85W D C

 8.2. Size:858K  feihonltd
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FHA20N90A

N N-CHANNEL MOSFET FHF20N60A/ FHP20N60A/FHA20N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 20A Crss ( 20pF) Low Crss (typical 20pF ) VDSS 600V Fast switching Rdson-typ 0.32 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested P (T =25) 85W D C

 8.3. Size:402K  feihonltd
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FHA20N90A

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History: 5N65E | MEE2348 | FTK100N10P | DAMH50N500H | IXFH23N80Q | SUM90N08-7M6P | CHM65A3PAGP

 

 
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