FHA20N90A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FHA20N90A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 89.1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 493.7 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3PN
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FHA20N90A
FHA20N90A Datasheet (PDF)
fha20n90a.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHA20N90A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 20A Low gate charge VDSS 900 V Crss ( 18.3pF) Low Crss (typical 18.3pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.28 Fast switching Qg-typ 140.5nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Impro
fhf20n65a fhp20n65a fha20n65a.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHF20N65A/ FHP20N65A/FHA20N65A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 20A Crss ( 20pF) Low Crss (typical 20pF ) VDSS 650V Fast switching Rdson-typ 0.35 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested P (T =25) 85W D C
fhf20n60a fhp20n60a fha20n60a.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHF20N60A/ FHP20N60A/FHA20N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 20A Crss ( 20pF) Low Crss (typical 20pF ) VDSS 600V Fast switching Rdson-typ 0.32 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested P (T =25) 85W D C
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Liste
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