FHF18N50C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FHF18N50C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 58 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FHF18N50C
FHF18N50C Datasheet (PDF)
fhf18n50c.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHF18N50C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 18A Low gate charge VDSS 500V Crss ( 23pF) Low Crss (typical 23pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.31 Fast switching Qg-typ 58nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/d
fhf18n50a.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHF18N50A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 18A Low gate charge VDSS 500V Crss ( 23pF) Low Crss (typical 23pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.31 Fast switching Qg-typ 58nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/d
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Liste
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