FHP20N65A Todos los transistores

 

FHP20N65A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FHP20N65A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 73 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 252 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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FHP20N65A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:740K  feihonltd
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FHP20N65A

N N-CHANNEL MOSFET FHF20N65A/ FHP20N65A/FHA20N65A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 20A Crss ( 20pF) Low Crss (typical 20pF ) VDSS 650V Fast switching Rdson-typ 0.35 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested P (T =25) 85W D C

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FHP20N65A

N N-CHANNEL MOSFET FHF20N60A/ FHP20N60A/FHA20N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 20A Crss ( 20pF) Low Crss (typical 20pF ) VDSS 600V Fast switching Rdson-typ 0.32 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested P (T =25) 85W D C

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FHP20N65A

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FHP20N65A

N N-CHANNEL MOSFET FHP20N40A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 20A Low gate charge VDSS 400V Crss ( 12.3pF) Low Crss (typical 12.3pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.23 Fast switching Qg-typ 42nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved

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History: MX2N4859 | PM557BA | IRFPE30PBF | CED12N10L | SI8810 | CEDM7001VL | STD10PF06-1

 

 
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