FHD2N60A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FHD2N60A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 9 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FHD2N60A
FHD2N60A Datasheet (PDF)
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N N-CHANNEL MOSFET FHF2N60A/FHP2N60A/FHU2N60A/FHD2N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 2A Low gate charge VDSS 600V Crss ( 6pF) Low Crss (typical 6pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 3.5 Fast switching Qg-typ 8.0nC 100% 100% avalanche tested dv/
fhf2n60e fhp2n60e fhu2n60e fhd2n60e.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHF2N60E/FHP2N60E/FHU2N60E/FHD2N60E MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 2A Low gate charge VDSS 600V Crss ( 6pF) Low Crss (typical 6pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 4.0 Fast switching Qg-typ 8.0nC 100% 100% avalanche tested dv/
fhf2n65a fhp2n65a fhu2n65a fhd2n65a.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHF2N65A/FHP2N65A/FHU2N65A/FHD2N65A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 2A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 6pF) Low Crss (typical 6pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 4.0 Fast switching Qg-typ 8.0nC 100% 100% avalanche tested dv/
fhp2n65d fhf2n65d fhu2n65d fhd2n65d.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHP2N65D/FHF2N65D/FHU2N65D/FHD2N65D MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 2A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 6pF) Low Crss (typical 6pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 4.0 Fast switching Qg-typ 8.0nC 100% 100% avalanche tested dv/
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Liste
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