FHU2N65A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FHU2N65A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 35 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 9 nC
Tiempo de subida (tr): 6 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 31 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FHU2N65A
FHU2N65A Datasheet (PDF)
fhf2n65a fhp2n65a fhu2n65a fhd2n65a.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHF2N65A/FHP2N65A/FHU2N65A/FHD2N65A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 2A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 6pF) Low Crss (typical 6pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 4.0 Fast switching Qg-typ 8.0nC 100% 100% avalanche tested dv/
fhp2n65d fhf2n65d fhu2n65d fhd2n65d.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHP2N65D/FHF2N65D/FHU2N65D/FHD2N65D MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 2A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 6pF) Low Crss (typical 6pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 4.0 Fast switching Qg-typ 8.0nC 100% 100% avalanche tested dv/
fhf2n60e fhp2n60e fhu2n60e fhd2n60e.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHF2N60E/FHP2N60E/FHU2N60E/FHD2N60E MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 2A Low gate charge VDSS 600V Crss ( 6pF) Low Crss (typical 6pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 4.0 Fast switching Qg-typ 8.0nC 100% 100% avalanche tested dv/
fhf2n60a fhp2n60a fhu2n60a fhd2n60a.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHF2N60A/FHP2N60A/FHU2N60A/FHD2N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 2A Low gate charge VDSS 600V Crss ( 6pF) Low Crss (typical 6pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 3.5 Fast switching Qg-typ 8.0nC 100% 100% avalanche tested dv/
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