FHF8N80B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FHF8N80B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 49 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 164 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FHF8N80B

FHF8N80B Datasheet (PDF)

..1. Size:1019K feihonltd
fhf8n80b.pdf

N N-CHANNEL MOSFET FHF8N80B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 8A Low gate charge VDSS 800V Crss ( 14pF) Low Crss (typical 14pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.25 Fast switching Qg-typ 49nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/dt

9.1. Size:811K feihonltd
fhp8n60a fhf8n60a.pdf

N N-CHANNEL MOSFET FHP8N60A /FHF8N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 8A Low gate charge VDSS 600V Crss ( 15pF) Low Crss (typical 15pF ) Rdson-typ@Vgs=10V 0.9 Fast switching Qg-typ 29nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/dt

9.2. Size:970K feihonltd
fhp8n65a fhf8n65a.pdf

N N-CHANNEL MOSFET FHP8N65A /FHF8N65A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 8A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 5.5pF) Low Crss (typical 5.5pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.0 Fast switching Qg-typ 24nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Impr

9.3. Size:995K feihonltd
fhp8n60c fhf8n60c.pdf

N N-CHANNEL MOSFET FHP8N60C /FHF8N60C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 8A Low gate charge VDSS 600V Crss ( 12pF) Low Crss (typical 12pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.1 Fast switching Qg-typ 29nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improv

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Liste

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