FHF10N60A Todos los transistores

 

FHF10N60A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FHF10N60A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 121 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 167 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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FHF10N60A Datasheet (PDF)

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FHF10N60A

N N-CHANNEL MOSFET FHP10N60A/ FHF10N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 10A Crss ( 23pF) Low Crss (typical 23pF ) VDSS 600V Fast switching Rdson-typ 0.68 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested Qg-typ 45nC dv/dt Improved dv/dt capability RoHS RoHS product APPLICATION High efficiency switch mode power su

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FHF10N60A

N N-CHANNEL MOSFET FHP10N65B/FHF10N65B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 10A Crss ( 18pF) Low Crss (typical 18pF ) VDSS 650V Fast switching Rdson-typ 0.75 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested Qg-typ 30nC dv/dt

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FHF10N60A

N N-CHANNEL MOSFET FHP10N65A/FHF10N65A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 10A Crss ( 18pF) Low Crss (typical 18pF ) VDSS 650V Fast switching Rdson-typ 0.8 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested Qg-typ 29nC dv/dt Improved dv/dt capability RoHS RoHS product APPLICATIONHigh efficiency switch mode pow

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FHF10N60A

N N-CHANNEL MOSFET FHF10N80A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 10A Low gate charge VDSS 800V Crss ( 20pF) Low Crss (typical 20pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.72 Fast switching Qg-typ 58nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/d

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History: EFC2K107NUZ | HFB1N70S | BLS70R180-W | FS16SM-6 | P0780ATFS | AP65SL600AR

 

 
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